SiC силициевият карбид е сложен полупроводников материал, съставен от въглеродни и силициеви елементи. Той е един от идеалните материали за производство на устройства с висока температура, висока честота, висока мощност и високо напрежение.
Основните предимства на суровините от силициев карбид се отразяват в:
(1) Устойчивост на високо напрежение: по-нисък импеданс, по-широка ширина на лентата, може да издържи на по-голям ток и напрежение, което води до по-малък дизайн на продукта и по-висока ефективност;
(2) Устойчивост на висока честота: Няма феномен на изоставане на тока в SiC устройства по време на процеса на изключване, което може ефективно да увеличи скоростта на превключване на компонента (около 3-10 пъти тази на Si) и е подходящо за по-високи честоти и по-бързи скорости на превключване. ;
(3) Устойчивост на висока температура: SiC има по-висока топлопроводимост от силиция и може да работи при по-високи температури.
В сравнение с традиционния силициев материал (Si), забранената лента на силициевия карбид (SiC) е 3 пъти по-голяма от тази на силиция; топлопроводимостта е 4-5 пъти тази на силиция; напрежението на пробив е 8-10 пъти по-голямо от това на силиция; и скоростта на дрейф на насищане с електрони 2-3 пъти по-голяма от тази на силиция.
